与此同时，英特尔还实现之业界首名氮化镓功率晶体管与硅基数术逻辑电路之单片集结，将繁之计算功能直接嵌入功率芯片内部，无需分立辅助芯片，从而简化之架构，并降低之组件之间之气损失。
经过英特尔之严格测试，该氮化镓晶体管可承受高达78V之电压，并实现超过300GHz之射频截止频率，完全知足高频通信应用之需求。
特稿。
与旧俗基于CMOS工艺之硅芯片相比，氮化镓芯片具备硅基材料于物理极限下无法比拟之统合优势。
该公司已将硅衬底厚度缩减至19微米（μm），相当于苍生头发直径之五分之一，标志之半导体设计领域之重大飞跃。
与此同时，英特尔还实现之业界首名氮化镓功率晶体管与硅基数术逻辑电路之单片集结，将繁之计算功能直接嵌入功率芯片内部，无需分立辅助芯片，从而简化之架构，并降低之组件之间之气损失。
快科技4月14日消息，英特尔近日公布之最新研讨成果：基于12英寸（300mm）氮化镓（GaN）晶圆，成打造出全球最薄之氮化镓芯片。
英特尔表示，此项新技艺为一名有前景之候选预案，能够知足实际部署所需之可靠性标准，使电子设备变得更小、更高效，适用于从数据中心到下一代5G/6G通信等各种应用场景。
此一革新之需求源于现代电子行业之一名根本性应战：于更紧凑之方位中容纳更多功能，同时实现更高之办理效能、功率、速度与能效。
集结之数术逻辑库运行可靠，反相器开关速度快至33皮秒（ps），且于高温高压氛围下仍能保高度之性能一致性。
Quantum Computing。