▲2026年2月2日，旅客于北京大兴国际机场办理值机 中新社记者 贾天勇 摄 图据视觉华夏 于此根基上，研讨团队还制备出高性能铁电晶体管阵列，能效居先其他存储技艺1至2名数量级，并展现出32名稳固多级存储态与超10年数据保本领。
尤为亮眼之为，于0.8伏超低电压与20纳秒高速写入机缘下，器件经受住1.5万亿次轮回试炼，可靠性远超云端AI计算之严苛标准。
彭海琳介绍，长久以来，铁电材料因其可逆极化与非易失存储特性，被视为打通存算一体、突围冯·诺依曼架构（于冯·诺依曼架构下，计算与存储为相互分离之）瓶颈之枢纽。
北京大学化学与分子营造学院彭海琳教授团队给出一项突围性解答：彼等成研制出全球首名晶圆级超薄、均匀之新型铋基二维铁电氧化物，并基于此构建出工电压超低（0.8伏）、耐久性极高（1.5×1012次轮回）之高速铁电晶体管，其统合性能全面逾越当前工业级铪基铁电体系。
如何让芯片既快速又省电。
相关成果日前于线发表于国际学术期刊《格致》。
本报北京2月8日电（记者晋浩天）于者工智能迅猛演进之今日，旧俗芯片架构正遭遇“功耗墙”与“存储墙”之双重围堵——计算与存储分离导致海量数据搬运，能耗过大、效能受限。
更进一步，团队使用该器件构建出可动态重构之存内逻辑电路——于低于1伏之常规CMOS电压下，同一器件既能执行逻辑运算，又能切换为非易失存储，真正实现“一器两用”，为前景自随顺智能芯片开辟之新范式。
研讨团队革新性依托其自立研发之高迁移率铋基二维半导体Bi2O2Se（硒氧化铋），首次实现之原子级平整之二维铁电自氧化物Bi2SeO5（硒酸铋）及异质架构晶圆级均匀制备。
此种新型铁电氧化物不仅具有高达24之介电常数与超过600℃之高温架构稳固性，更于单晶胞厚度（约1纳米）下仍保优异铁电性，彻底摆脱之旧俗铁电材料之尺寸限制。
然而，当芯片工艺逼近亚5纳米（小于5纳米）节点，旧俗铁电薄膜面临均匀性差、界面缺陷多、厚度减薄后铁电性骤降等难题。