ASML齐步上调2026年全年净销售额预期至360亿至400亿欧元，同比增益10%至22%。
主顾呈文显示，High NA技艺可将EUV光刻所需掩模数量从3块减到1块，工艺步骤从100步压缩至10步。
ASML谋划2027年推出NXE:5200C体系，主要面向2nm及以下制程节点。
到2030年，Low NA EUV设备每小时晶圆办理本领将从目前之220片提升至330片，产能增益50%。
该技艺可覆盖前景3至4名制程节点，显著降低芯片制造本金。
集会上，ASML释放之两条让台积电三星大主顾安心之重磅讯息。
ASML CFO戴厚杰明确表示，2026年Low NA EUV出货至少60台，2027年至少80台，管层已将供应链准备至Low NA 90台/年之产能本领。
三星电子已率先行动，谋划采购两套High NA EUV设备用于2nm制程量产，分别于2025年底与2026年初交付。
台积电方面，首台High NA EUV光刻机已移送至全球研发中心，用于A14等前景前卫工艺之掘发。
此外，SK海力士已宣布订购身价约80亿美元之EUV设备，三星电子也下达之约40亿至50亿美元之订单。
其一为Low NA EUV技艺将续服役至2031年；其二为High NA EUV加速走向量产阶段。
快科技4月17日消息，据报道，ASML于2026年第一季财报集会上披露之EUV光刻机分别于低数值孔径（Low NA）与高数值孔径（High NA）机种方面之最新路线图。
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