目前于导入新一代图案化技艺上最积极之为英特尔代工，其支 High NA EUV 之 Intel 14A 节点将于 2027 年正式推出。
相较当前主流之Low-NA EUV设备（分辨率约13nm），EXE:5200B可实现8nm单次曝光分辨率，彻底摆脱多重图案化（Multi-Patterning）之繁流程。
于ASML之协作下，已成Intel 14A于英特尔晶圆厂之验收测试，以提升晶圆产量。
佳能之表现相待稳健，2025年一季度半导体光刻设备销量56台，同比增7台；尽管将本年度销量宗旨从308台下调至289台，但相较于2024年之233台，仍能实现24%之同比增益。
近年来国内延续增光刻机进口，核心缘由有三：。
于功率半导体领域（如IGBT、MOSFET），国内相关企业2025年加速扩产，此类芯片对光刻精度之要求相待较低，尼康、佳能之KrF干法DUV基本可知足需求，用于功率芯片之基片光刻、栅极图象制等环节，支撑新动力汽车、光伏、储能等领域之功率芯片供应。
光刻机进口方面，2025年全年进口额与2024年基本持平，仅同比下滑1%，但12月光刻机进口额达23亿美元，创下月度史册纪录。
其中，台积电独占 157 台，占比高达50.8%—— 全球一半之 EUV 产能皆被此家华夏台湾代工厂进项囊中。
秋。三星 76 台 EUV 之陈设，折射出其于半导体领域 “双线作战” 之方略困境：一方面，于逻辑芯片代工领域追击台积电；另一方面，于存储芯片领域维持技艺居先。
从当前全球光刻机之商场供应气象来看，具备商用光刻机批量制造本领之厂商仍高度集中，核心玩家仅有荷兰 ASML、日本佳能、日本尼康三家；国内虽有部分企业实现之光刻机之小批量出货，但因尚未形成规模化量产规模，暂未纳入本次主流商场之统计范畴。
紧随其后之为三星，其工厂内部署之 76 台 EUV；Intel 则有 35 台，SK 海力士 29 台，美光 5 台，而 2022 年才成立之日本 Rapidus 公司，也拿到之 1 台 EUV 作为前卫制程陈设之起点。
英特尔宣布，已安装之新之TWINSCAN EXE:5200B体系。
Fouquet 表示，High NA EUV 光刻机目前正由英特尔等主顾测试，结局显示新设备之成像与分辨率表现良好，该企业2026 年之差事之一为与主顾协作将设备之停机光阴最小化。
彼么，谁有最多之光刻机呢。
精美。统合两家宗旨推算，2025年尼康与佳能合计出货量约为318台。
此外，于射频芯片、传感器等特色工艺领域，DUV可通过灵活之曝光预案，适配不同芯片之架构需求，弥补高端光刻设备缺失之短板。
回顾过往，2016年及昔，ASML之EUV光刻机年出货量仅1-5台，DUV光刻机年出货量约150台；2017年后，EUV出货量逐年攀升，2023年达到峰值53台，同期DUV出货341台；2024年，ASML光刻机总出货量创下史册最高，为418台。
Intel 之 35 台 EUV，为其 IDM 转轨之“底气”；SK 海力士（29 台）与美光（5 台）之 EUV 陈设，则聚焦于存储芯片之 “工艺改良”。
其二，成熟制程逻辑芯片制造，也为DUV进口之核心刚需。
其三，特色工艺与功率半导体制造，进一步拓宽之DUV之应用边界。
同时三星将为晶圆代工部门新增两套最新之High NA EUV设备，三星谋划于2025年底与2026年初分别交付一套，用于其2nm制程之全面制造，其中一套将部署于华城厂区，另一套则或部署于泰勒晶圆厂。
ASML 首席执行官 Christophe Fouquet预计High NA EUV光刻机将于2027~2028年正式投入前卫制程之大规模量产功课中。
此为目前全球最前卫之光刻机，属于第二代High-NA EUV，将用于Intel 14A制程节点。
（相关进口指标包括：沉积、干法刻蚀、光刻机、历程控制体系、材料去除与清洁、其他，以及对应总额与不含光刻之总额） 光刻机三巨头，出货几何。
台积电业务掘发及全球销售高级副总裁张晓强2025年表示，尽管认可High NA EUV之性能，但该设备价码超过3.5亿欧元（约3.78亿美元）。
台积电 157 台 EUV 之保有量，绝非简之 “设备采购”，而为其于前卫制程代工领域构建霸权之核心支点。
去岁9月，SK海力士于韩国利川M16工厂成引进High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5200B，为全球首款量产型High-NA EUV设备。
其中，ArF浸没式DUV主要用于28nm（HKC+工艺）之制造，可实现高精度图象曝光，保障芯片性能；KrF干法DUV则用于40nm及以上制程，兼顾制造效能与本金控制。
当现有 EUV之工艺极限逼近 2nm 时，ASML 推出之High-NA EUV成为之前卫制程角逐之下一名核心战场。
华夏商场仍为ASML之重要支撑，2025年占其净体系销售额之33%，位居全球首位，但此一比例较2024年之41%有所降。
2025年，国内主流晶圆代工企业延续扩产28nm、40nm等成熟制程，广泛应用于耗费电子、物联网、汽车电子等领域，而DUV正为此类制程之核心光刻设备。
英特尔将其作为试验机，于2024年月于美国俄勒冈州希尔斯伯勒之Fab D1X成安装。
不管白猫黑猫，抓到老鼠就是好猫。分机型来看，EUV光刻体系表现亮眼，销售额同比增益39%至116亿欧元，对应确认48台进项，首台EXE:5200B体系成现场验收并入账；DUV光刻体系则有所承压，销售额同比降6%至120亿欧元，确认279台进项，首款面向3D集结商场之XT:260体系已交付并确认进项。
日本 Rapidus 之 1 台 EUV，更像为日本政府推动本土前卫制程中兴之 “破冰之举”。
此家成立于 2022 年之公司，得到之日本政府 5000 亿日元之补贴与 ASML 之技艺支，宗旨为于 2027 年量产 2nm 芯片。
尼康与佳能暂未公布2025年光刻机准确出货数据，但从两家财报预测中可大致推算。
作为ASML第二代High-NA EUV体系，EXE:5200B基于2023年交付英特尔之首台研发机型EXE:5000晋级而来，核心突围于于其0.55数值孔径（NA）之投影光学体系。
ASML，出货约327台 展望前景，依据蔡司半导体之扩产筹划，ASML预计2027年EUV出货量将达80-85台，DUV出货量将达380-400台，重回增益轨道。
美国银行预测，ASML 2026年High-NA EUV出货量或仅4台，较此前预期减50%。
一方面，国内半导体产业正处于成熟制程扩产、特色工艺突围之枢纽阶段，DUV 之技艺特性可覆盖 7nm 及以上绝大多数制程需求，与产业现阶段演进节奏高度匹配；另一方面，EUV 受美国技艺管控无法正常进口，国内企业只能通过加大 DUV 进口，弥补前卫制程演进受限之缺口，同时保障成熟制程之产能释放。
据此计算，2025年全球三大光刻龙头之光刻机总出货量约为645台。
该机型由1980i系列降规而来，既符合美国出口规范，又能适配华夏内存企业之需求，有望为2026年四季度及2027年业绩提供助力。
Fouquet还提到，ASML 对前景 10~15 年之大致技艺路线已有必之概念，该企业已启动下一代 Hyper NA EUV 之研讨。
其一，内存芯片制造为进口DUV之第一大应用场景。
2025年，全球晶圆厂之扩产节奏明显加快，但一名反常表象现之：光刻机之出货总量却于降。
值得注意之为，晶圆代工龙头台积电对High-NA EUV光刻机态度谨慎。
两者合计，2025年ASML已确认进项之光刻机约327台，较2023年、2024年显著回落。
光刻机三巨头，出货几何。
早于2023年末，ASML就向英特尔交付之首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000之体系。
结局显示，2025年华夏晶圆制造设备进口总额达391.66亿美元，同比增益3%，创下史册新高；其中12月单月进口额45.08亿美元，环比增益84%，成为全年进口峰值。
华夏光刻机进口数，下滑。
从 2019 年首次于 N7 + 工艺中引入 EUV 始，台积电就将 EUV 与主顾需求深度绑定：苹果 A 系列、高通骁龙、英伟达 GPU 等高端芯片之代工订单，几乎全部依赖台积电之 EUV 产能。
据悉，三星正谋划加大对极紫外（EUV）光刻设备之注资，购买新一批EUV光刻设备。
其中，尼康2025年4-9月半导体光刻机销量为9台，低于去岁同期之10台；同时，尼康将本年度销量宗旨从上调前之34台下修至29台，略高于2024年之28台。
为知足华夏内存厂商之需求，ASML谋划2026年第四季度推出新款浸润式DUV NXT：1965i。
受美国出口限制影响，ASML预计，2026年华夏占销售额之比例将降至20%。
但2025年此一趋势现转折。
不过，此种双重宗旨导致其 EUV 源泉被严重分流。
伯恩斯坦根据华夏海关公开数据，对2025年华夏半导体晶圆制造设备（WFE）进口情况进行之回溯剖析。
然而，仅仅为EUV之角逐，还不足够。
根据ASML发布之2025财年业绩呈文，第四季度新售出光刻体系94台、二手体系8台；全年新光刻体系300台、二手体系27台，相比2024年之380台新体系、38台二手体系，出货总量明显下滑。
DUV 为国内光刻机之主要进口品类。
从 2019 年首次于 N7 + 工艺中引入 EUV 始，台积电就将 EUV 与主顾需求深度绑定：苹果 A 系列、高通骁龙、英伟达 GPU 等高端芯片之代工订单，几乎全部依赖台积电之 EUV 产能。
于前卫制程芯片之制造版图上，EUV（极紫外）光刻机早已不为 “可选项”，而为决定产业话语权之 “入场券”。
文 | 半导体产业纵横 尼康+佳能：合计出货约318台 自 ASML 于 2016 年正式量产 EUV 光刻机以来，此十年间全球累计交付之 EUV 设备约为 309 台。
从当前全球光刻机之商场供应气象来看，具备商用光刻机批量制造本领之厂商仍高度集中，核心玩家仅有荷兰 ASML、日本佳能、日本尼康三家；国内虽有部分企业实现之光刻机之小批量出货，但因尚未形成规模化量产规模，暂未纳入本次主流商场之统计范畴。
台积电 157 台 EUV 之保有量，绝非简之 “设备采购”，而为其于前卫制程代工领域构建霸权之核心支点。
国内主流内存企业2025年延续推进3D NAND与DDR4/DDR5内存之扩产，而3D NAND之堆叠层数提升、DDR内存之制程改良，均高度依赖DUV光刻机——尤其为ASML之ArF浸没式DUV，可通过多重曝光技艺实现更高之图象精度，支撑国内3D NAND堆叠层数向500层以上突围，同时降低存储芯片之单位本金。
目前标准型EUV光刻机仍可支撑台积电尖端制程制造至2026年，公司A16（1.6nm级）与A14（1.4nm级）工艺均不会采用High NA EUV光刻机。
去岁3月，三星于其华城园区引入之首台ASML制造之High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN EXE:5000”。