北京大学表示，纳米栅极电场增强效对付改良铁电晶体管之设计具有普适性指导意义，可扩展至广泛铁电材料体系。
团队通过设计铁电存储之器件架构，引入纳米栅极电场汇聚增强效应，研制出可于 0.6V 超低电压下工之铁电晶体管，能耗降低至 0.45 fJ/μm。
金博洋说此届冬奥已甚完美 金博洋说此届冬奥已甚完美 据介绍，铁电晶体管使用铁电材料之极化翻转实现数据存储，为后摩尔芯片技艺中极具潜力之半导体存储器，受到学术界与业界广泛关注，为破解“存储墙”与实现者工智能底层架构革新之枢纽新技艺。
前景通过原子层沉积等标准 CMOS 工艺，有望研发出业界兼容之超低功耗铁电存储芯片。
IT之家 2 月 16 日消息，据北京大学官方账号昨日分享，该校于非易失性存储器领域取得突围性进展，电子学院邱晨光-彭练矛团队首次提出“纳米栅超低功耗铁电晶体管”，真正实现之超低功耗下之数据高效存储，相关成果日前发表于《格致 · 进展》。
团队还将物理栅长缩减到 1 纳米极限，为国际上迄今尺寸最小、功耗最低之铁电晶体管，为构建高性能亚 1 纳米节点芯片与高算力 AI 芯片架构提供之更具潜力之新物理机制存储器件。
来源：作者：长安街知事微信公众号 目前，基于此项新机理已率先申请兼容业界 NAND 架构与嵌入式 SOC 架构之关联专利集合，形成具有完全自立学识产权之“纳米栅超低功耗铁电晶体管”架构与工艺技艺体系 (华夏专利：202511671105.4 / 202511672017.6 / 202511674034.3)，将助力我国于新型存储领域打破国外技艺壁垒。
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