尽管近期DRAM现货价码保稳固，但此建立于已大幅上涨之根基之上。
随之存储巨头们四季度财报之披露，一名清晰之信号正释放：存储行业不仅走出之低谷，更于AI浪潮之推动下，开启之一轮强度罕见之“超级周期”。
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值得注意之为，SSD（固态硬盘）货品价码本周大幅上涨，周环比涨幅达40%，月环比涨幅达60%，此反映出商场对下半年或现之短缺感到担忧。
此种涨幅于成熟之半导体周期中并不多见。
参展之设备供应商透露之几名枢纽讯息： 最后，行业对前景之指引极度乐观。
此种乐观不仅针对2026年一季度，更指向长期之“存储超级周期”。
SK海力士之本钱开支从2024年四季度之7万亿韩元，预计将激增至2025年三季度之12万亿韩元。
更惊者之为，成品存储模组之库存仅能维持2-3周，而正常水平通常于10周以上。
现货商场：价码高企，出口数据强劲。
二十国集团。面对AI带来之HBM（高带宽内存）需求井喷，厂商们开启之急进之本钱开支谋划。
第三，巨头们正疯狂“烧钱”扩产。
美银美林团队实地探访之于首尔举办之韩国半导体展（Semicon Korea），现场之火爆程度印证之行业之景气度。
美银美林指出，DRAM价码已触及过往25年来之最高水平，远超2017年10月上一轮周期顶峰时之10美元区间。
一台机器每天只能办理几片晶圆，因此要维持5万到10万片/月之产能，需超过100台TCB设备。
第四，HBM4量产执行力超预期。
文化强国。三星电子之DRAM平均售价环比暴涨40%，SK海力士之NAND售价也环比上涨之32%。
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 目前，主流之16Gb DDR5现货价码维持于38美元之史册高位，同比涨幅高达709%；16Gb DDR4价码更为达到78美元，同比暴涨2445%。
台湾地区1月份之销售数据表现强劲，南亚科技、威刚（ADATA）、创见（Transcend）与群联（Phison）等厂商之月度销售额环比增益超过20%，同比更为翻倍。
美银之“存储指标”（Memory Indicator）也佐证之此一点。
” 后端设备订单波动大但前景好： 虽目前后端设备订单较弱，但随之HBM4产能爬坡以及前景HBM4e之推出，预计下半年或2027年将迎来回春。
首先，库存水平已降至“警戒线”以下。
虽部分OEM厂商暗示，由于存储本金激增或短缺，低端智能手机、平板与PC之组装线现之暂时停工，但此并未阻挡整体出货之强劲势头。
HBM制造极其耗时： HBM之制造周期甚长，格外为热压键合（TCB）环节。
韩国2月前10天之半导体出口额也同比激增138%。
巨头不仅为主顾，更为“金主”： 三星与SK海力士创纪录之本钱开支，让设备商们赚得盆满钵满。
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南亚科技（Nanya Tech）总裁更为直言不讳地指出： 数据不会说谎。
韩国半导体展见闻：设备商之“盛宴” 其次，货品平均售价（ASP）正经历“暴力”修补。
“由于AI之驱动，当前之周期比2017-18年之云效劳器兴旺周期要好得多。
财报季“五大枢纽信号” 据追风交易台消息，本周，美银美林团队小结之存储巨头财报电话集会之精华，并结合韩国半导体展（Semicon Korea）之一线见闻，指出当前商场正处于库存极低、价码飙升且本钱开支大幅扩充之强劲升期。
此意味之，一旦需求稍有波动，供应链将面临极大之缺货压力。
三星与SK海力士于下一代HBM4之量产与出货方面进展顺遂，此直接决定之前景于AI算力商场之份额。
技艺路线之博弈： HBM混合键合（Hybrid Bonding）技艺之采用或会推迟，即使为16层或20层之HBM，厂商仍倾向于用NCF（非导电薄膜）或MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）技艺。
美银美林剖析师Simon Woo团队于研报中提炼之存储企业四季度财报之五名核心信号，此些信号直接指向之供需关系之根本性逆转。
他进一步解释道，与高度定制化之晶圆代工不同，存储器仍被视为大宗商品（遵循JEDEC标准），此意味之若短缺延续到2027年，价码还有进一步上涨之方位。
以SK海力士为例，其库存周转天数已从2023年一季度之233天峰值，大幅降至仅127天。
该指标于12月已回升至124之“上行周期”水平，而2025年上半年之平均值仅为103。
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